本文標(biāo)題："陶瓷化合物真空涂層過程分類材料研究顯微鏡"
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陶瓷化合物真空涂層過程分類材料研究顯微鏡
真空涂層過程分類
最流行和最容易被采用的淀積方法是基于蒸汽轉(zhuǎn)化以及其他更多的，特別是
物理(PVD)和化學(xué)淀積(CVD)。在后兩種方法，尤其是前者，是多參數(shù)和較
靈敏的方法，因而需要嚴(yán)格的監(jiān)測(cè)和控制。因此在本章，物理淀積(PVD)和化學(xué)
淀積(CVD)所需的傳感器被提出來(lái)。是對(duì)淀積方法一個(gè)粗
糙的分類，考慮到相應(yīng)的設(shè)備制造商的設(shè)計(jì)原理，它還可以進(jìn)一步細(xì)分。
PVD方法是從物體中得到金屬離子，形成等離子環(huán)境，使它們與氣體反應(yīng)，
從而形成陶瓷化合物，并在稱為襯底的產(chǎn)品表面淀積。因此淀積的種類是原子、
分子或其化合物。淀積受濃度的影響，放出熱量，并且使等離子體廣泛應(yīng)用。淀
積是在一個(gè)高真空室中操作，淀積的溫度從150～500℃之間變化。PVD方
法非常靈活，提供許多的單一和多層涂層(結(jié)構(gòu)的或成分的)，包含淀積具有物
理、化學(xué)和電學(xué)性能等應(yīng)用范圍廣泛的薄膜。
在典型的CVD過程中，反應(yīng)氣體在室溫條件下進(jìn)入密封反應(yīng)容器，當(dāng)氣體
混合物接近被熱輻射，或放置在一個(gè)加熱襯底上的淀積表面時(shí)，氣體混合物被加
熱。CVD方法是在大于850℃的較高的溫度下進(jìn)行。依靠過程和操作條件，反
應(yīng)氣體在蒸汽狀態(tài)下，在接近表面之前，經(jīng)過均勻的化學(xué)反應(yīng)。在表面熱流附
近，當(dāng)氣流變熱，由于黏滯力變慢，并且化學(xué)成分發(fā)生變化時(shí)，形成動(dòng)量和化學(xué)
濃度邊界層。原始?xì)怏w的不同反應(yīng)或活性中間體由高溫分解形成，淀積材料淀積
在表面上。然后，氣體反應(yīng)后的副產(chǎn)品傳輸出反應(yīng)室。CVD方法的傳統(tǒng)應(yīng)用，
例如，涂層刀具的生產(chǎn)，正在被日益增多的PVD方法所代替，這是因?yàn)镻VD
的靈活性和低的淀積溫度。
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