本文標(biāo)題："IC封裝制程焊接點顯微結(jié)構(gòu)檢測金相顯微鏡"
發(fā)布者：yiyi ------ 分類: 行業(yè)動態(tài) ------
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電子構(gòu)裝金線接點破壞機構(gòu)及顯微組織分析
Au wire是許多傳統(tǒng)IC封裝制程中，用來連結(jié)chip與lead frame的橋樑。因應(yīng)IC在使用過程中訊號電流的輸入輸出，
造成IC的局部過熱，因此對于高溫時效過程中，Au wire與Al pad接合微接點的可靠度研究是非常重要的。
不同的wire bond參數(shù)會造成高溫時效后，Au-Al微接點morphology的不同。
良好的wire bond條件應(yīng)該是Au wire與Al pad的有效接合面積既平整且殘留的passive region愈少。
良好的wire bond條件會使Au wire與Al pad接合之微接點在高溫時效過程陸續(xù)產(chǎn)生數(shù)種介金屬化合物的消長。
探討這些介金屬反應(yīng)層的消長機制將有助于了解微接點在時效過程的破壞機制。
此次研究將著重于三種不同成份的Au wire與Al pad接合后，在高溫時效所產(chǎn)生的介金屬反應(yīng)層成長機制做逐步分析探討，這三種wire為pure Au wire、添加微量Pd元素的Au wire及添加微量Cu元素的Au wire。
另外研究過程中，因部份參數(shù)的不同，也會造成一些不同的Au-Al微接點morphology行為，如不同的封裝樹脂，或是在Au wire中添加不同雜質(zhì)含量，或是改變Al pad厚度…等等。
為了改善金鋁微接點的可靠度，了解不同合金的物理及擴散成長行為，將有助于對此次研究的探討，
以提昇產(chǎn)品在市場上的信賴。
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